大应力碳化硅晶体的初加工方法

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201110453604.8 （22）申请日 2011.12.30

（71）申请人 上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所

地址 201800 上海市嘉定区城北路215号

（10）申请公布号 CN102514110A

（43）申请公布日 2012.06.27

（72）发明人 陈辉;庄击勇;王乐星;黄维;杨建华;施尔畏 （74）专利代理机构 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)

代理人 曹芳玲

（51）Int.CI

B28D5/00; B28D5/04;

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

大应力碳化硅晶体的初加工方法

（57）摘要

本发明涉及一种大应力碳化硅晶体的初加

工方法，包括：对碳化硅晶锭的顶部和底部进行端面灌胶处理以使所述碳化硅晶锭的顶部和底部分别具有平整的表面的整形工序；将经整形的晶锭滚圆至所需尺寸；以及将所得晶锭切割成所需尺寸的晶片的切割工序。本发明的方法利用简单的灌胶处理即能有效避免晶体在初加工过程中开

裂，操作简便、耗时短、成本低。

法律状态

法律状态公告日

2012-06-27 2012-09-05 2014-11-05

公开

实质审查的生效 授权

法律状态信息

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