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专利名称：栅极结构专利类型：发明专利
发明人：王俊杰,叶升韦,白岳青,杨淇任申请号：CN202010711928.6申请日：20200722公开号：CN112310200A公开日：20210202
摘要：提供一种栅极结构和一种形成栅极结构的方法。栅极结构包含栅极介电层、金属层以及簇层。金属层安置在栅极介电层上方。簇层包夹在金属层与栅极介电层之间，其中簇层至少包含非晶硅层、非晶碳层或非晶锗层。另外，提供一种包含栅极结构的半导体器件。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：中国新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
国籍：CN
代理机构：南京正联知识产权代理有限公司
代理人：王素琴
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