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专利名称：一种用于透射电子衍射研究的超薄单晶的制备方法专利类型：发明专利发明人：王兴,罗端,田进寿申请号：CN201610200723.5申请日：20160331公开号：CN105865866A公开日：20160817
摘要：本发明公开了一种用于透射电子衍射研究的超薄单晶样品的制备方法，包括以下步骤：1)将超薄单晶置于洁净的衬底上；其中，超薄单晶的厚度小于100nm；2)将新载网倒置于超薄单晶表面，形成新载网‑超薄单晶‑衬底结构；3)在新载网‑超薄单晶‑衬底结构上滴入异丙醇溶液，使异丙醇溶液浸入新载网与超薄单晶的分界面并自然蒸发干；4)将经过步骤3)的新载网‑超薄单晶‑衬底结构放入用于溶解衬底的溶液中，使衬底溶解，超薄单晶与衬底脱离，附着于新载网上，形成新载网‑超薄单晶结构；5)将经过步骤4)形成的新载网‑超薄单晶结构进行多次去离子水冲洗，后自然晾干。本发明具有操作简单、成本低和可实现快速制样的优点。
申请人：中国科学院西安光学精密机械研究所
地址：710119 陕西省西安市高新区新型工业园信息大道17号
国籍：CN
代理机构：西安智邦专利商标代理有限公司
代理人：苏蓓
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