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专利名称：一种背面结N型双面晶体硅电池及其制备方法专利类型：发明专利发明人：张中伟,李愿杰,黄仑申请号：CN201510562102.7申请日：20150907公开号：CN105206699A公开日：20151230
摘要：本发明提供了一种背面结N型双面晶体硅电池及其制备方法，该电池包括前表面Ag电极、前表面减反射膜、磷扩散N+前表面场层、N型基底、硼扩散发射极P+层、背面钝化复合膜、背面AgAl电极，电池正面与背面均为绒面结构，背面钝化复合膜包括硼硅玻璃层和氮化硅层，硼硅玻璃层在硼扩散发射极P+层之上，氮化硅层沉积在硼硅玻璃层上；本发明电池的正面和背面都可有效接受阳光照射发电，从而可提升电池的综合效率；采用经过氧化处理的硼硅玻璃层和氮化硅层叠层薄膜充当硼发射极的钝化层和后续磷扩散的扩散掩蔽层，可同时实现硼发射极的钝化和扩散掩蔽功能，减少了制程中多次刻蚀和掩膜沉积的过程；本发明工艺简单，生产效率高，生产工艺成本低。
申请人：中国东方电气集团有限公司
地址：610036 四川省成都市金牛区蜀汉路333号
国籍：CN
代理机构：成都天嘉专利事务所(普通合伙)
代理人：蒋斯琪
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