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专利名称：一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法专利类型：发明专利
发明人：李德尧,许海军,朱建军,张书明,苏雷,廛宇飞申请号：CN201010571217.X申请日：20101126公开号：CN1020471A公开日：20110518
摘要：一种氮化镓基半导体激光器及其制作方法属于半导体激光器领域。该器件结构是在激光器的n型光层与n型波导层之间引入量子级联辐射层，并利用该层在激光器工作时产生的红外辐射，实现p型GaN波导层、p型AlGaN光层以及p型GaN覆盖层中镁受主杂质的电离，提高p型各层的载流子浓度，降低激光器的工作电压。该量子级联辐射层的平均Al组分与n型AlGaN光层接近，因此激光器光因子并无明显变化。虽然激光器工作时，n型层的压降会有所增加，但由于P型层压降的大幅度降低，将使激光器能够在较低的电压下工作。该激光器结构可降低激光器的串联电阻，进而降低激光器的工作电压，延长激光器的寿命。
申请人：北京化工大学
地址：100029 北京市朝阳区北三环东路15号
国籍：CN
代理机构：北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人：刘萍
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