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专利名称：提高半导体器件中电感器的品质因子的方法专利类型：发明专利发明人：塞巴斯蒂安·雅克兰申请号：CN200780017910.9申请日：20070515公开号：CN101449362A公开日：20090603
摘要：一种在硅衬底(10)中制造电感器(70)的方法，其中，在沉积了抗蚀剂层(82)并且蚀刻了多晶硅层(30)之后，但在剥离抗蚀剂层(82)并且将多晶硅退火之前，执行氩注入步骤(84)。因而，在衬底(10)上产生非晶层(86)，使得在不需要附加的遮挡步骤或不对多晶硅层(30)造成不利影响的情况下改善了电感器(70)的Q因子。
申请人：NXP股份有限公司
地址：荷兰艾恩德霍芬
国籍：NL
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：朱进桂
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