（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利说明
（21）申请号 CN201510617597.9 （22）申请日 2015.07.28
（71）申请人 英飞凌科技股份有限公司
地址 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
（10）申请公布号 CN105355570B
（43）申请公布日 2019.04.09
书
（72）发明人 M·科伊茨;S·克拉姆普
（74）专利代理机构 中国专利代理()有限公司
代理人 王岳
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
半导体芯片及形成芯片焊盘的方法
（57）摘要
本发明涉及半导体芯片及形成芯片焊盘的
方法。公开了一种具有不同芯片焊盘的半导体芯片以及形成具有不同芯片焊盘的半导体芯片的方法。在一些实施例中，该方法包括在芯片正面上方沉积阻挡层，在沉积阻挡层之后沉积铜层，以及去除位于第一芯片焊盘区域之外的铜层的部分，其中在第一芯片焊盘区域内的铜层的剩余部分形成该芯片焊盘的表面层。该方法还包括去除位于第一芯片焊盘区域之外的阻挡层的部分。
法律状态
法律状态公告日
2016-02-24 2016-02-24 2016-03-23 2016-03-23 2019-04-09
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
法律状态信息
公开 公开
法律状态
实质审查的生效 实质审查的生效 授权
权利要求说明书
半导体芯片及形成芯片焊盘的方法的权利要求说明书内容是....请下载后查看
说明书
半导体芯片及形成芯片焊盘的方法的说明书内容是....请下载后查看
