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专利名称：存储器装置及形成存储器装置的方法专利类型：发明专利
发明人：刘源鸿,吴志达,赵兰璘,杜友伦,林文钦,蔡嘉雄申请号：CN200610003592.8申请日：20060215公开号：CN1828866A公开日：20060906
摘要：本发明提供一种存储器装置及形成存储器装置的方法，所述存储器装置，其磁性存储元件与用来写入磁性存储元件的传导存储线间具有缩短的距离。根据形成此存储器装置的方法以达成此缩短距离的目的。此方法包括于磁性存储元件上方形成罩幕层以及于此罩幕层上方形成绝缘层。接着使用平坦化制程以移除部分绝缘层。然后于罩幕层里形成一传导介电层，如使用一镶嵌制程。再于罩幕层及传导介层窗的上方形成传导存储线。
申请人：积体电路制造股份有限公司
地址：省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
国籍：CN
代理机构：北京林达刘知识产权代理事务所
代理人：刘新宇
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