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专利名称：高静电放电耐受力的静电保护元件布局结构专利类型：发明专利发明人：谢协缙,林欣逸申请号：CN201810639569.0申请日：20180620公开号：CN110620109A公开日：20191227
摘要：本发明公开了一种高静电放电耐受力的静电保护元件布局结构，包含有多个相互并联的NMOS晶体管，且该些并联的NMOS晶体管构成一隔离型NMOS多指型半导体布局结构；其中该隔离型NMOS多指型半导体布局结构的中间区域是掺杂高能量P型植入离子浓度的P型掺杂区域，使该中间区域的基板电阻减低；如此，即可使得该中间区域所对应的NMOS晶体管的总基板电阻减低，并减少其与两旁其中之一所对应的NMOS晶体管的基板电阻差，使得NMOS晶体管可被均匀导通，使提升NMOS晶体管的静电放电耐受力。
申请人：类比科技股份有限公司
地址：中国台北市
国籍：TW
代理机构：北京律诚同业知识产权代理有限公司
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