专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种用于提高GaN外延层高电阻特性的预处理方法专利类型：发明专利
发明人：南琦,吴岳,傅华,王辉,潘磊,蔡金申请号：CN201310492185.8申请日：20131018公开号：CN104217958A公开日：20141217
摘要：本发明提供了一种用于提高GaN外延层高电阻特性的预处理方法，应用于对MOCVD机台在周期设备开反应腔作保养后，开始新一轮的量产之前，通过在机台恢复生长前，通过在重涂层运行阶段的高温段将很高浓度的Mg流量通入反应室进行预反应，在反应室表面形成Mg的氮化物的沉积，这样能在随后的GaN外延生长中，引入与原有背景电子浓度基本一致的背景Mg浓度，中和过高的背景电子浓度，同时不引入其他的背景杂质，从而有效提高GaN外延层的电阻值，提高其电阻特性。
申请人：苏州新纳晶光电有限公司
地址：215000 江苏省苏州市苏州工业园区苏虹东路388号
国籍：CN
代理机构：南京苏科专利代理有限责任公司
更多信息请下载全文后查看
