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专利名称：一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：唐吉龙,申琳,魏志鹏,贾慧民,王华涛,宿世臣,薄报学,
方铉,王登魁,马晓辉
申请号：CN201911411778.0申请日：20191231公开号：CN111082307A公开日：20200428
摘要：本发明提供了一种低应力高导热半导体衬底及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明提供的半导体衬底中，背面设置有周期分布排列的孔洞，且填充有弹性纳米导热材料，所制备的焊料层将弹性纳米导热材料密封在衬底基体背面所制备的孔洞中，器件通电工作时，会产生大量的热，孔洞在受热膨胀后会变小，弹性纳米导热材料受到挤压时仍能够与焊料保持良好接触，并给芯片膨胀留有足够的空间，使芯片膨胀时仍能够与焊料保持很好的接触，减小了芯片与所填充的弹性纳米导热材料的热应力，也减少了芯片本身受热膨胀的应力，且能够保持高散热能力。
申请人：长春理工大学
地址：130022 吉林春市朝阳区卫星路70号
国籍：CN
代理机构：北京高沃律师事务所
代理人：张敏
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