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专利名称：一种新型GaN基LED外延层结构及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：左万胜,韩昌坤,张成旺申请号：CN201910166132.4申请日：20190306公开号：CN109888071A公开日：20190614
摘要：本发明提供一种新型GaN基LED外延层结构及其制备方法，相较于传统二级管外延层结构，其N型掺杂GaN层与MQW之间插入应力释放层；通过生长高温GaN层、AlGaN层、多周期InAlN/AlN超晶结构层、AlGaN层和低温GaN层组成的应力释放层，有效阻档电子的溢流，增加电子与空穴的辐射复合，提高LED的内量子效率和光的输出功率，可明显减少MQW循环数，从而提升整个器件质量；同时该层Si的浓度高低掺方式，可提高器件的ESD性能。
申请人：聚灿光电科技(宿迁)有限公司
地址：223800 江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区东吴路南侧
国籍：CN
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