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专利名称：控制由补偿硅原料制成的硅锭中电阻率的方法和系
统
专利类型：发明专利
发明人：F·基尔希特,V·阿布罗斯莫娃,M·豪雅,D·林克,J·P·拉
克特里拉,K·安拉杰拉
申请号：CN200880105605.X申请日：20080627公开号：CN101918314A公开日：20101215
摘要：本发明公开了一种用于控制从补偿硅原料形成硅锭过程中的电阻率的方法，本方法配制一用于熔融形成硅熔液的提纯的冶金补偿硅。提纯的冶金补偿硅原料提供一P型占大多数的半导体，本方法估算提纯的冶金补偿硅原料中硼和磷的浓度并加入预定数量的铝或/和镓；本方法进一步将硅原料与预定数量的铝或/和镓熔化来形成一熔融的硅熔液，进行定向凝固；并且，通过加入铝或/和镓来维持该硅锭的电阻率在其整个锭体中具有一致性。在各硅锭中硅原料引起低电阻率的情况下(通常是在0.4Ωcm以下)，磷的差额可以随意加入至铝或/和镓中。在低电阻率(通常接近0.2Ωcm或稍低)时，加入磷是必须的。
申请人：卡利太阳能有限公司
地址：美国加利福尼亚州
国籍：US
代理机构：广州嘉权专利商标事务所有限公司
代理人：谭志强
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