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专利名称：一种金属双镶嵌的制造方法专利类型：发明专利
发明人：陈振隆,林平伟,游曜声,姜兆声,郑丰绪申请号：CN01143424.4申请日：20011226公开号：CN1428826A公开日：20030709
摘要：一种金属双镶嵌的制造方法。形成第一介电层于已形成有若干元件的基底上，然后使用含氮电浆对第一介电层进行表面处理。接着依序形成氮化硅层与第二介电层于第一介电层上，图案化第二介电层，以形成第一开口于第二介电层中以暴露出部分的氮化硅层。然后依序图案化暴露出的氮化硅层与其下的第一介电层，以形成第二开口于氮化硅层与第一介电层中，第二开口的宽度小于第一开口的宽度。最后沉积金属于第一开口与第二开口中，以形成金属双镶嵌结构。
申请人：矽统科技股份有限公司
地址：省新竹县
国籍：CN
代理机构：中科专利商标代理有限责任公司
代理人：汤保平
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