专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种由硫脲制备铜铟硫光电薄膜的方法专利类型：发明专利
发明人：刘科高,崔培波,徐勇,于刘洋,石磊申请号：CN2016104197.1申请日：20160615公开号：CN105932109A公开日：20160907
摘要：一种由硫脲制备铜铟硫光电薄膜的方法，属于太阳电池用光电薄膜制备技术领域，本发明通过如下步骤得到，首先清洗玻璃基片，然后将Cu(NO)·3HO、In(NO)·4.5HO、CHNS放入溶剂中混合均匀，用旋涂法在玻璃片上得到前驱体薄膜，烘干，放入有水合联氨的可密闭容器，使前驱体薄膜样品不与水合联氨接触，并将装有样品的密闭容器装入烘箱进行加热和保温处理，最后取出样品浸泡24小时后进行干燥，得到铜铟硫光电薄膜。本发明不需要高温高真空条件，对仪器设备要求低，生产成本低，生产效率高，易于操作。所得铜铟硫光电薄膜有较好的连续性和均匀性，主相为CuInS相，这种新工艺容易控制目标产物的成分和结构，为制备高性能的铜铟硫光电薄膜提供了一种成本低、可实现工业化的生产方法。
申请人：山东建筑大学
地址：250101 山东省济南市临港开发区凤鸣路
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
