（19）中华人民共和国国家知识产权局
（12）发明专利申请
（21）申请号 CN201510147004.7 （22）申请日 2015.03.31
（71）申请人 深超光电(深圳)有限公司
地址 518109 广东省深圳市宝安区龙华民清路深超光电科技园A栋
（10）申请公布号 CN104779139A
（43）申请公布日 2015.07.15
（72）发明人 黄展宽;任东;任维;向婉羿;杜胜;朱彦辉 （74）专利代理机构 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司
代理人 汪飞亚
（51）Int.CI
权利要求说明书 说明书 幅图
（54）发明名称
半导体薄膜的制造方法及薄膜晶体管的制造方法
（57）摘要
一种半导体薄膜的制造方法，该方法包
括：在一基板上形成非晶硅层；通过第一次准分子激光退火处理所述非晶硅层，该非晶硅薄膜变为多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行刻蚀处理；以及通过第二次准分子激光退火处理所述多晶硅薄膜以形成半导体薄膜。本发明还提供一种薄膜晶体管的制造方法。本发明所提供的半导体薄膜的制造方法及薄膜晶体管的制造方法能够形成具有高纯度和高表面平整度的多晶硅薄膜，使
得所述多晶硅薄膜的可靠性更好。
法律状态
法律状态公告日
2015-07-15 2015-07-15 2015-08-12 2015-08-12 2018-03-02
法律状态信息
公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
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公开 公开
实质审查的生效 实质审查的生效
发明专利申请公布后的视为撤回
权利要求说明书
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说明书
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