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专利名称：一种优化光掩模图案制备参数的方法专利类型：发明专利发明人：田明静
申请号：CN201410141068.1申请日：20140409公开号：CN104977799A公开日：20151014
摘要：本发明提供一种优化光掩模图案制备参数的方法，包括：提供光掩模，所述光掩模包括主图案区和至少两个测试图案；其中一个测试图案采用的条件参数与主图案区的条件参数相同；通过对比若发现采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性比采用其他条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好，则继续采用原来的条件参数制备下一个光掩模主图案区；若发现采用其他条件参数制备的测试图案中有一测试图案的特征尺寸均匀性相对于采用与所述主图案区相同条件参数制备的测试图案的特征尺寸均匀性更好，则采用该优化的条件参数制备下一个光掩模主图案区。本发明提供的优化方法可以方便快速的优化出曝光参数，优化周期短，优化操作简单。
申请人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
地址：201203 上海市浦东新区张江路18号
国籍：CN
代理机构：上海光华专利事务所
代理人：李仪萍
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