后烘对驻波效应的影响分析
后烘对对波效对的影分析响第卷第期1912 年月200412 对山对范院学
JournalofI~hanTeachersCollege \"Co1.19,No.12 Dec.2Oo4
后烘对对波效对影分析硇响 肖对
对山对范院物理对子信息科系学与学对山(,614004)摘要研况究了不同后烘情下的对度分布和抗对对的对影对廓对果表明适的后当:PAC,烘可明对小对波缺陷减提,
高光刻对量而对量的后烘对致抗对对对形对劣化将会构,a.对对对后烘对波效对抗对对光敏混合物对影对廓:;;;;
中对分对号文对对对献文章对号:TN305.7:A:1009-8666(2004)12--0020-03 在光光刻的曝光对程中学由于抗对对折射, 率和对底折射率不匹配人射光波在抗对对对底,/ 界面对生反射反射光入射光在抗对对部干与内,
涉而形成对波分布从而对致光敏混合物,(PAC)对度也呈对似分布如果不平滑对度的对对.PAC
分布状况对在对影后的抗对对对壁对廓上出会, 对明对的对波效对.
由于对波效对的存在使得抗对对对形的形,
状尺寸对期相比对生改对与同对也对致抗对对,, 对形的牢固性降低甚至引起对形的坍塌旧从而,, 降低光刻对量因此必对对对波效对加以小或减., 消除.
后烘能对对对有效地小对波效对减已成对,, 光光刻中的一对对准工对步对学同对也是光刻, 模对中的一重要对对个从理对上分析对波效对.
存在原因以及后烘小对波效对的机理减研究后,烘对参数对度分布和抗对对对影对廓的影PAC
响有利于对对大量对对对对和生对对对对于半, 对制造对对具有重要的对对意对体. 抗对对的曝光对影模型1,
以正型抗对对对例光刻的目的是对了对得,
与对对掩模一致的抗对对对形其成像对程如下,:光对掩模照射到抗对对上受光照部分的吸,PAC收光能对生分解对致抗对对部各点的内对,PAC度对生对化生成掩模的像潜对而通对对,,PAC度的分布影到抗对对部各点的对影速率响内最,对对对影得到掩模致的抗对对浮雕对廓与—因.此研究抗对对的光刻对程对主要对心由曝光引,,
起的抗对对部的光强分布和内对度分布而PAC, 对度分布对定着抗对对对影后的对形对决PAC 廓.
研学究了抗对对的曝光对力在Dm,Lam—
定律的基对上建立了模型描述旧来bert-BeerDill曝光对量与对度之对的对系而等人PAC,Mack对究了研对度抗对对对影速率的对影对与PAC
力对律学提出了描述对影对程的模型昀,Mack.因此当两曝光对对和光对分布对定就可依据模,
型对对抗对对的对影对廓. 抗对对光强的对波表式内达2
当抗对对曝光对由于其折射率对底折射与,
率不匹配光在抗对对对底界面上对生反射反射,/,光波入射光波干涉与形成对定的对波分布如对,(收稿日期:2004-09—21作者对介肖对男四川宜对人对山对范院物理对子信息科系对对学与学对士从事:(1975-).,,,.
微对加工技对光对, 信对理方面的究号研.
将坐对原点建立在抗对对表面抗对对深度方1o,向对对对光垂直入射到抗对对表面对抗对对z,,内达写网部的光强表式可对对:空气
nl — IO — — 抗对对 n2
一对抗对对对底对示意对构1/ 些I2(z)=Iola\"2l(1
l+p12p23TD2在上式中分对代表空对气抗对对,1,2,3,对对底对其中,.: 界面透射系数='i'j;pi=ff~+ffj 'i'j
界面反射系数;
冲一对部透射率内:e(),i;lq:2\"rrff ,
对对常数对折射率;i~---ni-iki.,.注意上述表式中达下对的对序表示了光是:, 由对向对对播iJ.
此外式中的对代表入射光号正代表号,(1),反射光由此可看出入射光反射光在抗对对与内,,
部相干涉光强呈对波分布,. 后烘模型3
由于曝光后的抗对对部内对度分布不PAC
均匀形成对度梯度因而在后烘对程中分,,,PAC子在对对散的作用下由高对度部位向低对度部位对散对对对波波峰对对的高对度部分对散,PAC
后使整的体对度分布得到平滑校正减小,PAC,了对波对对度的不良影响改善了对影后的PAC,
抗对对对廓因此要想准对对抗对对的对影对确.,
廓除了要求解曝光对束后抗对对部的内对,PAC度分布外对必对知道后烘对段分子对散后,PAC的对度分布情况以一对情对例况假对后烘对程.,
的对散系对常数数对后烘方程如下【】PAC,7: 粤一一=DPACt2)
其中后烘对对对散系数抗,t,;DPAc,PAC;z,对对部到表面的距内离对一化对度;M,PAC.此外后烘对段的对散对度对散系,PAC,
数和后烘对对对之对的对系对Dwcc:
(r=N/2DpAct~(3)以上除参数舳由对对需要指定外其余均由c,对对对定. 式的解对网(2):
-,
M(z)=—lM(z')exp[-(z—z')2/2,/2~roa dz'(4)
至此利用曝光模型可定曝光后抗对确,Dill 对的内对度分布由后烘模型可对算最对的PAC, 对度分布再利用对影模型就能定确PAC,Mack 抗对对部各点的对影速率内最后采用一定的对, 影算法可对对出抗对对的对影对廓即. 对算对果分析4
由于本次究对在于分析后烘对对波效对的研
影响而不涉及不同曝光方式的比对同对出于减,,小对算量的目的假定了曝光对光对垂直入射到,
抗对对表面但对假定不影到最后的对对并会响,.在对算中对用了厚度对的正性抗对对,lI.Lm
对对要对得对对对占空比对AZ7200,lg,m,1:1的抗对对对形其对算如下它参数.:
表模对参数1AZ7200 a(1/mn)0.6049 B(1/mn)o.0531
CCcrn2/mJ)o.0126l~max(mn/s)166.77Rmin(nm/s)0.00399n3.421 Mdl0.231 波对(nIT1)365 曝光对量(mJ/cm~2o0 后烘度温()11O?
对对分对是光强和对度在抗对对2,3PAC
内从部的分布对对中可看出对度在对波,PAC对光强对波分布对对度对波分布23PAC
21
对对度深度随5PAC 对化局部对()
对抗对对对影对廓后烘对散对度分对6(.
对:0nm,15nm,30nm,70nm)光强的影下形成了其互对的对波形响与状未完(全曝光情下况而对度的分布对对上就是),PAC
光刻对形的像潜.
对对示了后烘对散对度对的40r=30nmPAC对度分布此对对度的对波对状况与相比,PAC3
已对有了明对的小很减不同后烘情下的况.PAC对度分布如对所示从对对中可看出随着后烘5,,
对散对度的增加也就是后烘对对田增加(c,),PAC对度的对波分布不得到平滑校正断.
在对影对对对秒的情下况抗对对的对影25,
对廓如对所示其中对的后6.,(1),(2),(3),(4)烘对散对度分对对将对Ohm,15rim,3Ohm,7Ohm.
与对相比可知此对抗对对对影对廓的对(2)(1),
波缺陷有明对的小没减对对明后烘对对不足不,,能对得理想的抗对对对形而在增加了一定后烘.
对对的对中抗对对的对壁对廓得到了相好当(3),
的改善对波缺陷已对消失如果后烘对对对对,.,将对致对得对形的特征尺寸比对对对大如对((4)所示对是因对对度的后烘对致了分子对).PAC
一
步对散潜像对大对影对就有更多的会,PAC, 抗对对被溶解对致抗对对对形对劣化构,. 对对5
本文究了不同后烘情对于研况对度分PAC
布以及抗对对对影对廓的影响分析对果表明后,,烘对对太短不能对有效改善对波效对而对量的,
后烘对致抗对对对形对劣化将会构只有采用适, 当减的后烘才能对明对小对波缺陷达到提高光, 刻对量的目的因此在对对光刻中除了其因它.,, 素外对必对对格控制后烘对对才可能对得对与,, 期符合对好的抗对对对形具的后烘对对抗体与. 对对对对等因素有对对由对对据分析对当数与, 件共同定确. 参献考文:
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