专利名称：平坦化研磨法和半导体装置的制造方法专利类型：发明专利发明人：藤井美香
申请号：CN200810004877.2申请日：20080205公开号：CN101239453A公开日：20080813
摘要：本发明披露将待研磨晶片研磨为平坦表面的平坦化研磨方法，该方法包括以下步骤：通过使用研磨浆将被研磨面研磨为平坦表面，所述研磨浆含有磨粒和经表面包覆而被包封的表面活性剂。
申请人：索尼株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：北京市柳沈律师事务所
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