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专利名称：非易失性存储元件以及非易失性存储元件的制造方
法
专利类型：发明专利
发明人：二宫健生,三河巧,早川幸夫申请号：CN201180004314.3申请日：20111118公开号：CN102714210A公开日：20121003
摘要：提供抑制因热预算而导致的电阻变化层的氧浓度特性的劣化、且在低电压下能够稳定工作的非易失性存储元件以及其制造方法。非易失性存储元件(12)，具备∶第一电极层(105)，被形成在衬底上(100)；电阻变化层(106)，被配置在第一电极层上(105)；以及第二电极层(107)，被配置在电阻变化层(106)上，电阻变化层(106)具有，缺氧氮型钽氧氮化物层(106a)与钽氧化物层(106b)层叠的双层构造。
申请人：松下电器产业株式会社
地址：日本大阪府
国籍：JP
代理机构：永新专利商标代理有限公司
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