一种改善IGBT芯片栅极塌陷的新工艺

（12）发明专利申请

（21）申请号 CN201810190366.8 （22）申请日 2018.03.08 （71）申请人 科达半导体有限公司

地址 257091 山东省东营市府前大街65号

（10）申请公布号 CN108511336A

（43）申请公布日 2018.09.07

（72）发明人 刘传利;李向坤;刘星义;徐金金;王琪

（74）专利代理机构 山东济南齐鲁科技专利事务所有限公司

代理人 郑向群

（51）Int.CI

权利要求说明书 说明书 幅图

（54）发明名称

一种改善IGBT芯片栅极塌陷的新工艺

（57）摘要

本发明提供一种改善IGBT芯片栅极塌陷

的工艺，其中所述的将GOX栅极氧化层，由原来的1000Å调至1200Å，将P‑BODY IMPP型砷阱的离子注入由BORON 80Kev8E13调至BORON 80Kev9E13；优点为：有效改善IGBT芯片栅极塌陷，提高栅极塌陷的值，有充裕的范围让IGBT开通或关断，可降低误开通或误关断现象的出现。

法律状态

法律状态公告日

2018-09-07 2018-09-07 2018-09-07 2018-10-09 2018-10-09 2019-06-28

公开 公开 公开

法律状态信息

公开 公开 公开

法律状态

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

实质审查的生效 实质审查的生效 授权

权利要求说明书

一种改善IGBT芯片栅极塌陷的新工艺的权利要求说明书内容是....请下载后查看

说明书

一种改善IGBT芯片栅极塌陷的新工艺的说明书内容是....请下载后查看