1卯7年第5期电子产品可靠性与环境试验DB3S特约记者双触发二极管的失效分析,翁寿松(中国华晶电子集团公司无锡市无线电元件四厂黄英(中国华晶电子集团公司研究所)、无锡,1421)03摘要:本文论述了DB3S双触发二极管的原理提出改进办法关键词。电性能、失效模式和失效机理,并双触发二极管失效分析负阻现象l,见图2O二。当收集结发生雪崩击,器件原理与电性能双触发二极管主要在电子节能灯、穿电子近年,并,BVcBvB时vB为收集结雪崩击穿电压镇流器或其它无线电线路中作触发用。BvcEo的最大值为:eEo=BVBVeso来,随着国内电子节能灯的日趋普及。,双触)式(l中vB万币二,(l)崩倍增因子,,Bo为收集结雪cM发二极管的用量逐渐增大我们根据国内外,趋于无穷大时收集结上加的反向偏压。汤为GS汤姆逊微电子公司D3B双触发二极管的电性能平面型双向触发二极管的简讯川S一大电流直流放大系数m为常数与收集结掺杂浓度和掺杂种类有关川从式(l)可知,于1996年5月左右研制成功DB3S塑封平面型双触发二极管D。双触发二极管出现负阻现象的条件与。m和岛有关,,DB3双触发二极管的,伏安特性。3双触发二极管是玻壳台面型结构B见图一曲线由图3所示D其电性能由表1所示,是一种纵向五层半导体器件击穿特性形成负阻现象射极电路中应,,1。它是3电参数的一致性较好BV转折电压v田基利用NPN双极晶体管收集极。发射极反向Ib二本上在30左右。NPN晶体管在共发当基极开路时(即,)0,若一外加电压较小收集结不发生雪崩倍增效发只有当外加电压加大至约为收集极射极反向击穿电压雪崩倍增效应集极电流增大,,VBEc。时,收集结才发生,忿必龙么理生图1D83使收集结反向偏压减小收集极电流突然变大,收结构二l队8ec锡v0图2Nl叹管当耘二当收集结反向偏压减小至维出现时击穿特性曲持电压Vs!s时L,线197年第5期电子产品可靠性与环境试验1表电转折电压vBoDB3和DB3SDB3电性能DB3SS性能最小值28/典型值322/最大值36/1o最小值24426典型值30322最大值43395ol00士(V)(V)(协)Bo一虚转折电压B转折电流IovHB漏电流IB(泌)对称性△VBol0l一VB。(V)(Vl)一土3一3使用环境温度(℃)外形04一12504一180DO一355一9(二条腿)拍2。转折电压之差小于SV图4DB3S结构图3DB3SDB3伏安特性曲线,,双触发二极管是塑封平面型结构是一种横向五层半导体器件见图,4,在同,一硅片上制作两个完全相同的NPN晶体管两个晶体管并列(即收集极相连)用纵向它是利图5DB3SNNP双极晶体管收集极。一发射极反结构等效模拟向击穿特性和横向硅可控整流器(SCR)共同形成负阻现象横向,NNPPN5。,结构可等效几管与Tl管AK模拟成三个晶体管加到一定数值时,见图(或几管)组成一个SCR当,两端电压SCR导通SCR两端压降降至零一,当AK两端电压降至一个晶体管EBl管或几管)(TSV,结的反向击穿电压。,约7图6此时出现负阻现象3,但是它的伏安,特性曲线略不同于图由图6所示,中电流工量程为压,5IllA/DIVVB为虚转折电H图6DB3S它是由于纵向NPN的CE结反向击穿特。性和横向SCR两种机理共同形成负阻现象所导致DB3S,伏安特性曲线电性能由表1所示一般情况下,,并与DB3进行比较虚转折电压与
