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专利名称：一种高性能硅碳负极材料及其制备方法专利类型：发明专利
发明人：屈杨,汪志全,胡在京,方琴凤申请号：CN202010291223.3申请日：20200414公开号：CN111584856A公开日：20200825
摘要：本发明公开了一种高性能硅碳负极材料及其制备方法，制备方法如下：(1)将聚乙烯吡咯烷酮溶于水中，搅拌均匀得到聚乙烯吡咯烷酮分散液；(2)将纳米硅粉和石墨加入聚乙烯吡咯烷酮分散液中得到混合浆料，经喷雾干燥得到Si/Graphite/C前驱体；(3)将Si/Graphite/C前驱体与锂辉石混合后置于惰性气氛下进行固相烧结，即得到高性能硅碳负极材料。本发明通过加入同时具备乳化和成膜作用的聚乙烯吡咯烷酮，起到分散和包覆碳源双重作用；引入锂辉石构建3D壳核结构，起到缓冲、稳定结构、预锂化和助烧四重作用，制得的材料具有较高的可逆比容量和首效，且循环寿命长，安全性高。
申请人：合肥国轩电池材料有限公司
地址：230000 安徽省合肥市庐江经济开发区移湖西路厂房
国籍：CN
代理机构：合肥天明专利事务所(普通合伙)
代理人：周静
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