专利内容由知识产权出版社提供
专利名称：一种制备纯银单晶纳米线的方法及装置专利类型：发明专利
发明人：孙家林,刘伟,田广彦,郭继华,孙红三申请号：CN03104876.5申请日：20030221公开号：CN1522951A公开日：20040825
摘要：一种制备纯银单晶纳米线的方法及装置，属于纳米材料制备技术领域。本发明提供了一种全新的银单晶纳米线的制备方法，它是在全固态环境且无任何模板的条件下，在常温、常压和大气气氛中，通过改变银离子导电薄膜MMAgI(M和M为K，Rb，Cs，x＝0～1)的外加电场强度和作用时间制备出具有不同长度和直径的银单晶纳米线；可以使制备的银纳米线的长度达几百微米以上，且生长的方向是由直流电场方向控制的。该方法操作简单，单晶纳米线的尺寸易于控制。本发明所制备的单晶银纳米线可作为导线或器件应用于纳米尺度的电子学及光电子学领域中。
申请人：清华大学
地址：100084 北京市100084-82信箱
国籍：CN
更多信息请下载全文后查看
