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专利名称：研磨用组合物及用该组合物研磨的方法专利类型：发明专利
发明人：河濑昭博,冈村正朗,井上穰申请号：CN02103447.8申请日：20020201公开号：CN1369534A公开日：20020918
摘要：可有效防止铜(Cu)、铁(Fe)、镍(Ni)、铬(Cr)等过渡金属对被研磨物污染的研磨用组合物以及用其进行研磨的方法。研磨用组合物由以下物质组成:(a)二氧化硅、(b)从由碱金属无机盐、铵盐、环状铵和乙二胺组成的群中选择的任何一种碱性物质、(c)从由通式[1]所示化合物或其盐中选择的螯合剂和(d)水。本发明的研磨方法是用本发明的研磨用组合物进行单晶硅、多晶硅或前述2种构成的半导体晶片的研磨。
申请人：不二见株式会社
地址：日本爱知县
国籍：JP
代理机构：上海专利商标事务所
代理人：章鸣玉
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