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专利名称：多晶硅的制造方法专利类型：发明专利发明人：山林稔治,秦雅彦申请号：CN200680049174.0申请日：20061226公开号：CN101346309A公开日：20090114
摘要：本发明提供具有工序(A)、(B)和(C)的多晶硅制造方法，(A)在温度T1下用金属还原下式(1)所示氯硅烷，获得硅化合物的工序、SiHCl (1)，(式中，n为0～3的整数)(B)将该硅化合物移送至温度T2(为T1＞T2的关系)的部分的工序、(C)使多晶硅在该温度T2的部分析出的工序，这里，温度T1为金属熔点(绝对温度)的1.29倍以上、温度T2高于金属氯化物的升华点或沸点，通过该制造方法能够以高收率获得高纯度的多晶硅。另外，本发明还包含具有通过上述制作方法获得的多晶硅的太阳能电池和多晶硅的制造装置。
申请人：住友化学株式会社
地址：日本东京都
国籍：JP
代理机构：中国专利代理()有限公司
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