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一种SiC MOSFET管的驱动电路[发明专利]

来源:宝玛科技网
专利内容由知识产权出版社提供

专利名称:一种SiC MOSFET管的驱动电路专利类型:发明专利

发明人:谢昊天,秦海鸿,聂新,徐华娟申请号:CN201610327230.8申请日:20160517公开号:CN105871230A公开日:20160817

摘要:本发明提出一种SiC MOSFET管的驱动电路,包括信号接收电路、电平转换电路、推挽放大电路、桥臂串扰抑制电路、全桥整流电路、第一隔离变压器和第二隔离变压器。本发明采用隔离变压器实现驱动电路与控制电路的隔离,使控制电路能够在常温环境中工作,在克服了耐高温控制集成芯片获取困难的基础上,还具备高温工作能力,并减小了线路寄生参数;采用辅助耐高温BJT管与SiCMOSFET管互补导通,开关管关断时在驱动电路中接入并联电容,抑制桥臂电路串扰现象。

申请人:南京航空航天大学

地址:210016 江苏省南京市秦淮区御道街29号

国籍:CN

代理机构:南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)

代理人:杨晓玲

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