1、导通状态：当栅极电压（VGS）大于零，会在栅极和衬底之间形成电场，这个电场方向垂直于半导体表面，由栅极指向衬底。这个电场会排斥P型衬底中的空穴，吸引N型半导体中的电子。当VGS增大到一定程度时，会在P型衬底表面形成一个薄的N型区域，这个区域就形成了N型导电沟道，使得电子可以从源极流向漏极，从而实现导通。
2、截止状态：当VGS小于等于零或者接近零时，栅极和衬底之间的电场不足以排斥P型衬底中的空穴，也无法吸引N型半导体中的电子，因此导电沟道消失，电子无法从源极流向漏极，NMOS管进入截止状态。
3、阈值电压：当VGS增大到一定值时，会形成导电沟道，这个值被称为阈值电压（Vth）。阈值电压的大小取决于NMOS管的结构和材料参数。
